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规格书 |
FW282 |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 35V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 37 mOhm @ 6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 10nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 470pF @ 20V |
功率 - 最大 | 2.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 4.4 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2200 |
最大漏源电压 | 35 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 37@10V |
每个芯片的元件数 | 2 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOP |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5 |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.5 |
最大连续漏极电流 | 6 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6A |
供应商设备封装 | 8-SOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 37 mOhm @ 6A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 2.2W |
标准包装 | 1,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 35V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 470pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 10nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 35 V |
晶体管极性 | N-Channel |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 6 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 37 mOhms |
封装/外壳 | SOP-8 |
技术 | Si |
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