1. FW282-TL-E
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厂商型号

FW282-TL-E 

产品描述

MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES

内部编号

277-FW282-TL-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国费城
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FW282-TL-E产品详细规格

规格书 FW282-TL-E datasheet 规格书
FW282
FW282-TL-E datasheet 规格书
标准包装 1,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 35V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6A
Rds(最大)@ ID,VGS 37 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS 10nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 470pF @ 20V
功率 - 最大 2.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.173", 4.40mm 宽度 )
供应商器件封装 8-SOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 4.4
PCB 8
最大功率耗散 2200
最大漏源电压 35
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 37@10V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOP
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.5
最大连续漏极电流 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6A
供应商设备封装 8-SOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 37 mOhm @ 6A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 2.2W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 35V
输入电容(Ciss ) @ VDS 470pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 10nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 35 V
晶体管极性 N-Channel
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 6 A
Rds On - Drain-Source Resistance 37 mOhms
封装/外壳 SOP-8
技术 Si

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